用于調(diào)控晶圓外延生長均勻性的裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111629561.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114318524A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114318524A 申請公布日 2022-04-12
分類號 C30B25/08（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 謝勝杰;劉南柳;姜永京;陳俊成;王琦;張國義 申請（專利權(quán)）人 北京大學東莞光電研究院
代理機構(gòu) 東莞恒成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 姚偉旗
地址 523000廣東省東莞市松山湖高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)沁園路17號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于調(diào)控晶圓外延生長均勻性的裝置及方法，該用于調(diào)控晶圓外延生長均勻性的裝置包括加熱爐、托盤、支撐桿、溫度傳感器、引線及溫度控制模塊，托盤與支撐桿均安裝于加熱爐內(nèi)，托盤用于放置生長晶圓或測溫晶圓，支撐桿連接托盤，支撐桿用于驅(qū)動托盤轉(zhuǎn)動；溫度傳感器安裝于托盤上，引線的一端連接溫度傳感器，另一端連接溫度控制模塊，引線穿設支撐桿，并用粘接劑密封；工作時，生長晶圓或測溫晶圓用于放置于溫度傳感器上。本裝置通過溫度傳感器實時監(jiān)測生長晶圓或測溫晶圓的表面溫度，且將監(jiān)測的溫度在線反饋至溫度控制模塊進行控溫，測溫和控溫精確，確保調(diào)控晶圓外延生長的均勻性，實現(xiàn)大尺寸晶圓生長的一致性。