一種SiC基MOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022768415.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213242540U 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN213242540U 申請公布日 2021-05-18
分類號 H01L23/367;H01L23/16;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王金秋;關(guān)世瑛 申請（專利權(quán)）人 上海芯石微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201600 上海市松江區(qū)新浜鎮(zhèn)新綠路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種SiC基MOS器件，包括金屬散熱底板，所述金屬散熱底板開設(shè)有凹槽，所述凹槽放置有MOS管主體，所述MOS管主體包括引腳，所述金屬散熱底板開設(shè)有兩個扣槽，兩個所述扣槽開設(shè)有滑槽，所述滑槽滑動匹配有壓塊，所述壓塊與滑槽之間連接有彈簧，所述金屬散熱底板鉸接有金屬散熱盒蓋，所述金屬散熱盒蓋兩側(cè)及頂部均設(shè)有散熱片，所述金屬散熱盒蓋頂部開設(shè)有散熱孔，所述金屬散熱盒蓋開設(shè)有插槽，所述插槽匹配有吸塵網(wǎng)，所述金屬散熱盒蓋開設(shè)有與引腳位置對應(yīng)的讓孔，所述金屬散熱盒蓋連接有兩個位置對應(yīng)扣槽的Z型扣塊。