一種適用小型化封裝的半橋整流肖特基器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201621301959.X 申請日 -
公開（公告）號 CN206451709U 公開（公告）日 2017-08-29
申請公布號 CN206451709U 申請公布日 2017-08-29
分類號 H01L27/08(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 關(guān)世瑛 申請（專利權(quán)）人 上海芯石微電子有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201605 上海市松江區(qū)新浜鎮(zhèn)香長公路1960號102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種適用小型化封裝的半橋整流肖特基器件；該器件是在N+襯底兩面同時形成上、下外延層N?，在上、下外延層表面分別形成上、下肖特基勢壘區(qū)，在上、下肖特基勢壘區(qū)邊緣，分別有上、下P+保護環(huán)，在上、下肖特基勢壘區(qū)表面的金屬層，分別形成器件的上、下陽極，在器件的上、下邊緣，分別圍繞高濃度的N型上、下?lián)诫s環(huán)，上摻雜環(huán)連接的金屬層形成器件的共陰極；一顆本實用新型的器件，可實現(xiàn)半橋整流功能，而傳統(tǒng)的半橋整流器件，需要兩顆傳統(tǒng)的肖特基器件才能實現(xiàn)；同時，本實用新型器件的芯片與一顆傳統(tǒng)的肖特基器件的芯片尺寸相當(dāng)，因此與同規(guī)格傳統(tǒng)的半橋整流肖特基器件比，可實現(xiàn)半橋整流肖特基器件的封裝小型化。