一種摻雜的肖特基勢壘器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410384819.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104124283B 公開（公告）日 2018-10-26
申請公布號 CN104124283B 申請公布日 2018-10-26
分類號 H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 關(guān)世瑛;洪旭峰 申請（專利權(quán)）人 上海芯石微電子有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201605 上海市松江區(qū)新浜鎮(zhèn)香長公路1960號102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種摻雜的肖特基勢壘器件及其制備方法；該肖特基勢壘器件具有摻磷肖特基勢壘區(qū)(P?MSi)，較傳統(tǒng)的肖特基器件，在金屬硅化物中，進行低能量、小束流注入摻雜磷，通過快速退火激活磷雜質(zhì)，形成摻雜磷的金屬硅化物勢壘結(jié)（P?MSi），同等面積下，具有低的正向飽和壓降(VF)的優(yōu)勢。