一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910928403.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110534582A 公開（公告）日 2019-12-03
申請公布號 CN110534582A 申請公布日 2019-12-03
分類號 H01L29/868;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 關(guān)世瑛;王金秋 申請（專利權(quán)）人 上海芯石微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201605 上海市松江區(qū)新浜鎮(zhèn)新綠路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管器件，器件具有通過深溝槽絕緣層隔離的兩種類型漂移區(qū)的PN結(jié)并聯(lián)結(jié)構(gòu)，第一PN結(jié)以N型半導(dǎo)體為漂移區(qū)，第二PN結(jié)以P型半導(dǎo)體為漂移區(qū),第二PN結(jié)的陰極區(qū)的摻雜濃度高，與第一PN結(jié)的第一副漂移區(qū)相接，且存在高濃度的原位多子載流子，將與正向工作時在第一PN結(jié)的漂移區(qū)內(nèi)積累的空穴載流子發(fā)生復(fù)合，并能增加電子空穴對的復(fù)合率，因此同等條件下，可進(jìn)一步加快反向恢復(fù)過程，獲得更低的反向恢復(fù)時間Trr值，使本器件具有更優(yōu)的優(yōu)值。另外本發(fā)明，提出的制造流程，與傳統(tǒng)的快恢復(fù)二極管芯片制造設(shè)備兼容，可以容易的實現(xiàn)本發(fā)明的一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的快恢復(fù)二極管器件。