一種降低芯片減薄碎片率的硅片倒角結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810919488.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109360852A 公開（公告）日 2019-02-19
申請公布號 CN109360852A 申請公布日 2019-02-19
分類號 H01L29/06;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛維平;關(guān)世瑛 申請（專利權(quán)）人 上海芯石微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201605 上海市松江區(qū)新浜鎮(zhèn)新綠路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 很多用于小體積封裝的半導(dǎo)體芯片，需要減薄到一定厚度，才能放入封裝體內(nèi)，當(dāng)厚度低于150微米的時候，碎片率會大幅度提升，對減薄設(shè)備、工藝等提出更高要求，常規(guī)減薄方法使用的硅片，其倒角為橢圓倒角或者圓形倒角，這種倒角的硅片在減薄的過程中，容易造成硅片邊緣較薄，進(jìn)而崩邊，硅片一旦崩邊，在接下來的工藝中極其容易造成整片破碎，本發(fā)明改善硅片減薄過程，利用圓角矩形倒角的硅片制造芯片，減薄過程中，硅片邊緣始終和金剛砂輪垂直，采用此方法，同等設(shè)備工藝條件下，減薄厚度150微米時可以降低碎片率50%以上，當(dāng)減薄至100微米時，更是可以降低碎片率70%以上。