一種硅基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110799492.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113257972B 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN113257972B 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄧群雄;郭文平;王曉宇 申請（專利權(quán)）人 元旭半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 鄭憲常
地址 261000山東省濰坊市高新區(qū)玉清街以北銀楓路以西光電園第三加速器西區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種硅基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括通過絕緣填充區(qū)域分割為N電極區(qū)域和P電極區(qū)域的硅基襯底，N電極區(qū)域和P電極區(qū)域的硅基襯底底面分別設(shè)有N焊接電極、P焊接電極；N電極區(qū)域的硅基襯底正面由下而上依次設(shè)有N?GaN層、量子阱層、P?GaN層和透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層上方設(shè)有覆蓋絕緣填充區(qū)域的鈍化絕緣層，鈍化絕緣層上方設(shè)有延伸并覆蓋至P電極區(qū)域硅基襯底的P電極傳輸層，P電極傳輸層通過鈍化絕緣層上的暴露區(qū)分別與透明導(dǎo)電層、P電極區(qū)域的硅基襯底接觸連接。本發(fā)明無需焊線即可實(shí)現(xiàn)與封裝基板的電氣相連，不用考慮抗物質(zhì)擴(kuò)散及性能不穩(wěn)定、可焊性差等問題，且能夠依據(jù)需求制作為所需的異形外觀結(jié)構(gòu)。