一種深紫外芯片的全無(wú)機(jī)封裝制備方法及深紫外芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110304549.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112701205A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112701205A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-23 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄧群雄;覃志偉;郭文平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 元旭半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南誠(chéng)智商標(biāo)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 馬春燕 |
| 地址 | 261000 山東省濰坊市高新區(qū)玉清街以北銀楓路以西光電園第三加速器西區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及深紫外發(fā)光二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種深紫外芯片的全無(wú)機(jī)封裝制備方法及深紫外芯片，制備方法包括藍(lán)寶石襯底的外延制備、芯片制備、基板襯底的制備以及芯片與基板的共晶粘接，深紫外芯片包括芯片結(jié)構(gòu)區(qū)及芯片密封區(qū)；芯片結(jié)構(gòu)區(qū)包括藍(lán)寶石、n?AlGaN層、量子阱層、P?AlGaN層、設(shè)置有P型歐姆接觸及N型歐姆接觸的絕緣層、高反射層、芯片共晶層、基板共晶層、第一面電路、基板及第二面電路；芯片密封區(qū)包括n?AlGaN層、量子阱層、P?AlGaN層、絕緣層、高反射層、芯片共晶層、基板共晶層、沉積層及基板。本發(fā)明解決了目前的深紫外芯片封裝過(guò)程中，使用有機(jī)材料進(jìn)行封裝，易出現(xiàn)有機(jī)材料老化或降解，對(duì)芯片造成破壞，影響芯片穩(wěn)定及使用壽命的問(wèn)題。 |
