一種硅基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110799492.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113257972A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113257972A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-13 |
| 分類號(hào) | H01L33/38;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄧群雄;郭文平;王曉宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 元旭半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南誠(chéng)智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 鄭憲常 |
| 地址 | 261000 山東省濰坊市高新區(qū)玉清街以北銀楓路以西光電園第三加速器西區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種硅基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括通過(guò)絕緣填充區(qū)域分割為N電極區(qū)域和P電極區(qū)域的硅基襯底，N電極區(qū)域和P電極區(qū)域的硅基襯底底面分別設(shè)有N焊接電極、P焊接電極；N電極區(qū)域的硅基襯底正面由下而上依次設(shè)有N?GaN層、量子阱層、P?GaN層和透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層上方設(shè)有覆蓋絕緣填充區(qū)域的鈍化絕緣層，鈍化絕緣層上方設(shè)有延伸并覆蓋至P電極區(qū)域硅基襯底的P電極傳輸層，P電極傳輸層通過(guò)鈍化絕緣層上的暴露區(qū)分別與透明導(dǎo)電層、P電極區(qū)域的硅基襯底接觸連接。本發(fā)明無(wú)需焊線即可實(shí)現(xiàn)與封裝基板的電氣相連，不用考慮抗物質(zhì)擴(kuò)散及性能不穩(wěn)定、可焊性差等問(wèn)題，且能夠依據(jù)需求制作為所需的異形外觀結(jié)構(gòu)。 |
