一種深紫外芯片的全無機封裝制備方法及深紫外芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110304549.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112701205B 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN112701205B 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L33/48;H01L33/54;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄧群雄;覃志偉;郭文平 申請（專利權(quán)）人 元旭半導體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 濟南誠智商標專利事務(wù)所有限公司 代理人 馬春燕
地址 261000 山東省濰坊市高新區(qū)玉清街以北銀楓路以西光電園第三加速器西區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及深紫外發(fā)光二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種深紫外芯片的全無機封裝制備方法及深紫外芯片，制備方法包括藍寶石襯底的外延制備、芯片制備、基板襯底的制備以及芯片與基板的共晶粘接，深紫外芯片包括芯片結(jié)構(gòu)區(qū)及芯片密封區(qū)；芯片結(jié)構(gòu)區(qū)包括藍寶石、n?AlGaN層、量子阱層、P?AlGaN層、設(shè)置有P型歐姆接觸及N型歐姆接觸的絕緣層、高反射層、芯片共晶層、基板共晶層、第一面電路、基板及第二面電路；芯片密封區(qū)包括n?AlGaN層、量子阱層、P?AlGaN層、絕緣層、高反射層、芯片共晶層、基板共晶層、沉積層及基板。本發(fā)明解決了目前的深紫外芯片封裝過程中，使用有機材料進行封裝，易出現(xiàn)有機材料老化或降解，對芯片造成破壞，影響芯片穩(wěn)定及使用壽命的問題。