一種紫外燈珠封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210125173.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114156389A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114156389A 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) H01L33/48（2010.01）I;H01L33/52（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L33/64（2010.01）I;H01L23/544（2006.01）I;H01L23/60（2006.01）I;H01L25/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄧群雄;郭文平;王曉宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 元旭半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南誠(chéng)智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 田祥寶
地址 261000山東省濰坊市高新區(qū)玉清街以北銀楓路以西光電園第三加速器西區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種紫外燈珠封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，紫外燈珠封裝結(jié)構(gòu)包括基板，基板的封裝面和背面均設(shè)有第一金屬層，兩面的第一金屬層的電極區(qū)域相連接，且封裝面的第一金屬層的電極區(qū)域上設(shè)有齊納芯片，封裝面的第一金屬層還具有外圍區(qū)域，各區(qū)域的第一金屬層上分別設(shè)有第二金屬層，第二金屬層的電極區(qū)域的高度大于/等于其外圍區(qū)域和齊納芯片的高度，且第二金屬層的電極區(qū)域上設(shè)有UVC芯片；第二金屬層通過(guò)其外圍區(qū)域密封安裝有石英透鏡，石英透鏡包覆UVC芯片和齊納芯片，且與UVC芯片、齊納芯片間填充有抗UVC特性的填充劑。本發(fā)明大大提升了光的封裝效率及燈珠的氣密性，且使得該封裝結(jié)構(gòu)的抗靜電擊穿和過(guò)壓保護(hù)性能大大提高。