半極性氮化鎵半導(dǎo)體構(gòu)件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822029597.9 申請日 -
公開（公告）號 CN209029403U 公開（公告）日 2019-06-25
申請公布號 CN209029403U 申請公布日 2019-06-25
分類號 H01L33/14;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳辰;宋杰;崔周源 申請（專利權(quán)）人 西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京金訊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 黃劍飛
地址 277300 山東省棗莊市高新區(qū)復(fù)元三路智能制造小鎮(zhèn)五號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種半極性氮化鎵半導(dǎo)體構(gòu)件，其包括：N型氮化鎵層；P型氮化鎵層；有源層，位于N型氮化鎵層和P型氮化鎵層之間，包括最多三個量子阱層；以及第一靜電保護層，位于N型氮化鎵層與有源層之間；以及第二靜電保護層，位于有源層與P型氮化鎵層之間。