半極性氮化鎵單量子阱層發(fā)光器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201822027731.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208970550U 公開（公告）日 2019-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN208970550U 申請(qǐng)公布日 2019-06-11
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳辰;宋杰;崔周源 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 黃劍飛
地址 277300 山東省棗莊市高新區(qū)復(fù)元三路智能制造小鎮(zhèn)五號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種半極性氮化鎵單量子阱層發(fā)光器件，其包括：N型氮化鎵層；P型氮化鎵層；以及單量子阱激活層，位于N型氮化鎵層和P型氮化鎵層之間，所述單量子阱材料為InxGayN1?x?y，其中沿著從N型氮化鎵層到P型氮化鎵層的厚度方向，所述單量子阱激活層單量子阱材料為InxGayN1?x?y中的x逐漸增大。