半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201822027653.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN208970549U | 公開（公告）日 | 2019-06-11 |
| 申請公布號 | CN208970549U | 申請公布日 | 2019-06-11 |
| 分類號 | H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳辰; 宋杰; 崔周源 | 申請（專利權(quán)）人 | 西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京金訊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 710003 陜西省西安市長安區(qū)上林苑一路15號4棟4102室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開涉及一種半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其包括：N型氮化鎵層；P型氮化鎵層；以及單量子阱有源層，位于N型氮化鎵層和P型氮化鎵層之間，所述單量子阱材料為InxGayN1?x?y，所述x值為0.1?0.2之間，其厚度為 |
