具有(20-2-1)面的半極性氮化鎵的外延層
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201822021967.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN209029404U | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-06-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209029404U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-06-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/16（2010.01）I; H01L33/18（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I; H01S5/30（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳辰; 宋杰; 崔周源 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 西安賽富樂(lè)斯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京金訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 西安賽富樂(lè)斯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 710003 陜西省西安市長(zhǎng)安區(qū)上林苑一路15號(hào)4棟4102室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開(kāi)涉及一種具有(20?2?1)面的半極性氮化鎵的外延層，包括：第一半極性氮化鎵外延層以及第二半極性氮化鎵外延層，其中第一半極性氮化鎵外延層生長(zhǎng)于圖案化藍(lán)寶石襯底上，而第二半極性氮化鎵外延層采用氫化物氣相外延(HVPE)方法生長(zhǎng)在第一半極性氮化鎵外延層的背向圖案化藍(lán)寶石襯底的表面上，第一半極性氮化鎵外延層以及第二半極性氮化鎵外延層背向圖案化藍(lán)寶石襯底的一面都具有(20?21)取向；以及第一半極性氮化鎵外延層的面向圖案化藍(lán)寶石襯底的通過(guò)化學(xué)?機(jī)械拋光法(CMP)進(jìn)行平坦化處理的表面具有(20?2?1)取向。 |
