半極性氮化鎵半導體構(gòu)件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822027655.4 申請日 -
公開（公告）號 CN208970551U 公開（公告）日 2019-06-11
申請公布號 CN208970551U 申請公布日 2019-06-11
分類號 H01L33/14（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳辰; 宋杰; 崔周源 申請（專利權）人 西安賽富樂斯半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京金訊知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 西安賽富樂斯半導體科技有限公司
地址 710003 陜西省西安市長安區(qū)上林苑一路15號4棟4102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種半極性氮化鎵半導體構(gòu)件，其包括：N型氮化鎵層；P型氮化鎵層；有源層，位于N型氮化鎵層和P型氮化鎵層之間，包括最多兩個量子阱層；以及第一泄漏電流防護層，位于N型氮化鎵層與有源層之間；以及第二泄漏電流防護層，位于有源層與P型氮化鎵層之間。