將氮化鎵外延層從襯底上剝離的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811473218.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109585615A 公開（公告）日 2019-04-05
申請公布號 CN109585615A 申請公布日 2019-04-05
分類號 H01L33/00（2010.01）I; H01L21/78（2006.01）I; H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳辰; 宋杰; 崔周源 申請（專利權）人 西安賽富樂斯半導體科技有限公司
代理機構 北京金訊知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 西安賽富樂斯半導體科技有限公司
地址 710003 陜西省西安市長安區(qū)上林苑一路15號4棟4102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種用于將氮化鎵外延層從襯底上剝離的方法，所述方法包括：通過MOCVD或MBE沉積方式在圖案化藍寶石襯底上生長氮化鎵外延層；將面積等于或大于所述氮化鎵外延層的面積的支撐片通粘合劑粘附在所述氮化鎵外延層的上表面并進行固化處理；通過向所述氮化鎵外延層與圖案化藍寶石襯底之間的界面施加應力而使得所述氮化鎵外延層和支撐片整體從圖案化藍寶石襯底上剝離；以及通過對所述氮化鎵外延層和所述支撐片之間的界面的所述粘合劑加熱，使得粘合劑融化而使得所述氮化鎵外延層與所述支撐片分離。