半導(dǎo)體構(gòu)件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201822021968.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208889687U 公開（公告）日 2019-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN208889687U 申請(qǐng)公布日 2019-05-21
分類號(hào) H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳辰;宋杰;崔周源 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 黃劍飛
地址 277300 山東省棗莊市高新區(qū)復(fù)元三路智能制造小鎮(zhèn)五號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種半導(dǎo)體構(gòu)件，其包括：含有半極性面的PSS襯底；第一GaN半導(dǎo)體層，外延生長(zhǎng)在PSS襯底的半極性面，具有第一厚度，所述第一GaN半導(dǎo)體層中具有在其穿透位錯(cuò)處通過刻蝕而形成的空腔，并且所述空腔的深度小于第一厚度；以及第二GaN半導(dǎo)體層，外延生長(zhǎng)在第一GaN半導(dǎo)體層表面上，具有第二厚度，所述第二GaN半導(dǎo)體層封閉第一GaN半導(dǎo)體層內(nèi)的刻蝕空腔。