半導體晶片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822029819.7 申請日 -
公開（公告）號 CN208970547U 公開（公告）日 2019-06-11
申請公布號 CN208970547U 申請公布日 2019-06-11
分類號 H01L33/02（2010.01）I; H01L33/16（2010.01）I; H01L33/20（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I; H01S5/30（2006.01）I; B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳辰; 宋杰; 崔周源 申請（專利權）人 西安賽富樂斯半導體科技有限公司
代理機構 北京金訊知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 西安賽富樂斯半導體科技有限公司
地址 710003 陜西省西安市長安區(qū)上林苑一路15號4棟4102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種半導體晶片，其包括：含有半極性面的PSS襯底；第一GaN半導體層，外延生長在PSS襯底的半極性面上，并具有第一厚度第二GaN半導體層，外延生長在第一GaN半導體層表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半導體層與第一GaN半導體層之間有阻斷第一GaN半導體層內的穿透位錯的氮化硅島體。