在無層錯(cuò)半極性(20-21)GaN基板上制備的發(fā)光器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201822021971.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208970548U 公開（公告）日 2019-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN208970548U 申請(qǐng)公布日 2019-06-11
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳辰;宋杰;崔周源 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 黃劍飛
地址 277300 山東省棗莊市高新區(qū)復(fù)元三路智能制造小鎮(zhèn)五號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供一種在無層錯(cuò)半極性(20?21)GaN基板上制備的發(fā)光器件，其中包括：無層錯(cuò)半極性面(20?21)GaN基板；位于無層錯(cuò)半極性(20?21)GaN基板上的摻雜Si的N型GaN層；在N型GaN層上有源層，包括單量子阱層或多量子阱層，每個(gè)量子阱層包括InGaN量子阱和GaN量子壘；在有源層上的摻雜Mg的P型GaN層；以及位于P型GaN層外表面的P型電極和位于N型GaN層的外露表面上的N型電極。