引線框架和功率半導(dǎo)體器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201920555320.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN209896052U | 公開(kāi)(公告)日 | 2020-01-03 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN209896052U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-01-03 |
分類(lèi)號(hào) | H01L23/495(2006.01); H01L23/31(2006.01) | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李響; 牛永佳; 魏洪松; 郭寧 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 吉林華耀半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 吉林華微電子股份有限公司 |
地址 | 132013 吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種引線框架和功率半導(dǎo)體器件,屬于電子器件技術(shù)領(lǐng)域。該引線框架包括框架和擋墻,擋墻設(shè)置在框架上,擋墻為環(huán)形,芯片能夠安裝在擋墻圍成的環(huán)形中。該功率半導(dǎo)體器件包括芯片、外殼和上述引線框架,芯片焊接在引線框架上,且芯片位于擋墻中。外殼注塑在引線框架上,以覆蓋芯片。本實(shí)用新型改善了現(xiàn)有技術(shù)由于芯片焊接過(guò)程中易溢料進(jìn)而導(dǎo)致封裝功率半導(dǎo)體器件質(zhì)量較低且使用壽命不長(zhǎng)的技術(shù)問(wèn)題。 |
