功率半導(dǎo)體模塊及其封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811507321.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109637984A 公開（公告）日 2019-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN109637984A 申請(qǐng)公布日 2019-04-16
分類號(hào) H01L23/31（2006.01）I; H01L23/488（2006.01）I; H01L21/56（2006.01）I; H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 左義忠; 楊壽國(guó); 高宏偉; 邢文超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 吉林華耀半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吉林華微電子股份有限公司
地址 132013 吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種功率半導(dǎo)體模塊及其封裝方法，涉及功率半導(dǎo)體模塊開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，其中功率半導(dǎo)體模塊包含阻尼模塊，所述阻尼模塊包括封裝在一起的電壓阻斷芯片和阻尼芯片，所述電壓阻斷芯片的負(fù)極與所述阻尼芯片的正極相連接。通過本發(fā)明提供的功率半導(dǎo)體模塊，其中的阻尼模塊可替代傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體模塊中與開關(guān)芯片并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管，緩解了反向恢復(fù)過程中產(chǎn)生的電壓尖峰，降低了開關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)難度。