一種氧化鎵功率器件鈍化層及其鈍化方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011597461.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112635409A 公開（公告）日 2021-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112635409A 申請(qǐng)公布日 2021-04-09
分類號(hào) H01L23/29;H01L21/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙浩男;徐瀟迪;武錦 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中科芯（蘇州）微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京禾易知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 翁亞娜
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城1幢505、507
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氧化鎵功率器件鈍化層及其鈍化方法，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，其中氧化鎵功率器件鈍化層的制備方法，包括：形成Ga2O3外延層；在所述Ga2O3外延層表面形成SIPOS鈍化層；在所述SIPOS鈍化層上形成氧化鎵功率器件鈍化層。也就是說，本發(fā)明通過在Ga2O3外延層表面形成摻氧多晶硅鈍化層的方式，可有效屏蔽現(xiàn)有鈍化工藝引入的缺陷、陷阱等因素對(duì)氧化鎵功率器件終端性能的影響，從而提升了器件終端區(qū)鈍化層的質(zhì)量，減小界面態(tài)、界面陷阱、界面電荷等因素對(duì)器件終端結(jié)構(gòu)的影響，也提升了器件性能，結(jié)構(gòu)簡單，工藝簡單，能耗低，從而大大提高了制備氧化鎵功率器件的高效性和可靠性，也提高了氧化鎵功率器件的使用壽命。