一種具有非對稱壘層的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310257933.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104253182B 公開（公告）日 2019-07-16
申請公布號 CN104253182B 申請公布日 2019-07-16
分類號 H01L33/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田宇;鄭建欽;曾頎堯;賴志豪;郭廷瑞;黃繡云;黃信智;張志剛;吳東海;童敬文;林政志;李鵬飛 申請（專利權(quán)）人 南通同方半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有非對稱壘層的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明結(jié)構(gòu)從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層，有源區(qū)包括阱層和壘層，所述有源區(qū)的生長周期數(shù)為3m個(gè)周期，有源區(qū)包括三個(gè)部分，每個(gè)部分生長m個(gè)周期，壘層由AlxGa1?xN層、AlyIn1?yN層和InzGa1?zN層組成，其中，1≤m≤5。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能減緩溢流現(xiàn)象和降低能帶的彎曲，提高內(nèi)量子效率，從而有效提高出光效率。