一種能增加LED芯片出光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710683480.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109390444A 公開（公告）日 2019-02-26
申請公布號 CN109390444A 申請公布日 2019-02-26
分類號 H01L33/10;H01L33/20;H01L21/86 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳飛翔;朱劍峰;胡榮;葛海;李文忠 申請（專利權(quán)）人 南通同方半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種能增加LED芯片出光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括襯底以及置于襯底上方依次由N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層和透明導(dǎo)電層組成的發(fā)光結(jié)構(gòu)。在N型GaN層上的一端置有N型電極，透明導(dǎo)電層上、與N型電極相對的另一端置有P型電極。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：所述襯底內(nèi)部設(shè)有點(diǎn)陣孔。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過將激光器在LED芯片中制作具有一定周期結(jié)構(gòu)的空洞，對在LED芯片中的光進(jìn)行反射，增加LED芯片的出光，提高LED芯片的性能。