一種低位錯密度和殘余應力的LED外延結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510258317.X 申請日 -
公開（公告）號 CN106299048B 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN106299048B 申請公布日 2019-03-08
分類號 H01L33/02（2010.01）I; H01L33/04（2010.01）I; H01L33/12（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程騰; 翟小林; 俞登永; 賴志豪; 曾奇堯; 林政志 申請（專利權）人 南通同方半導體有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經濟技術開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種低位錯密度和殘余應力的LED外延結構，涉及半導體發(fā)光領域。本發(fā)明從下至上依次包括藍寶石襯底、AlN緩沖層、u型GaN層、N型GaN層、有源層、電子阻擋層和P型GaN層。其結構特點是，所述u型GaN層從下至上依次包括u?GaN三維生長層、u?GaN二維塊體生長層和u?GaN二維摻雜超晶格生長層。所述u?GaN二維摻雜超晶格生長層包括從下至上交替生長的變溫變壓摻雜GaN層和變溫變壓未摻雜GaN層，變溫變壓摻雜GaN層中的摻雜元素為Si。同現有技術相比，本發(fā)明通過結構的變化，有效降低位錯密度和殘余應力，提高器件的光電特性。