一種具有應(yīng)力補(bǔ)償效應(yīng)壘層的LED外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510589866.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106549086B 公開（公告）日 2019-07-16
申請公布號 CN106549086B 申請公布日 2019-07-16
分類號 H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田宇;鄭建欽;吳真龍;曾頎堯;董發(fā);李鵬飛 申請（專利權(quán)）人 南通同方半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有應(yīng)力補(bǔ)償效應(yīng)壘層的LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明結(jié)構(gòu)從下至上依次包括圖形化襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、淺量子阱層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述有源區(qū)與電子阻擋層之間設(shè)有應(yīng)力補(bǔ)償效應(yīng)壘層。所述應(yīng)力補(bǔ)償效應(yīng)壘層從下至上依次包括本征半導(dǎo)體層、N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過增加壘層，可以提高電子阻擋效益、增加電動注入、減少效率衰減從而提高輻射復(fù)合幾率，以達(dá)到增強(qiáng)LED內(nèi)量子效率的目的。