能增加LED芯片出光的發(fā)光二級管結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721000193.6 申請日 -
公開（公告）號 CN207303131U 公開（公告）日 2018-05-01
申請公布號 CN207303131U 申請公布日 2018-05-01
分類號 H01L33/10;H01L33/20;H01L21/86 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳飛翔;朱劍峰;胡榮;葛海;李文忠 申請（專利權）人 南通同方半導體有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 能增加LED芯片出光的發(fā)光二級管結構，屬于半導體光電子技術領域。本實用新型包括襯底以及置于襯底上方依次由N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層和透明導電層組成的發(fā)光結構。在N型GaN層上的一端置有N型電極，透明導電層上、與N型電極相對的另一端置有P型電極。其結構特點是：所述襯底內部設有點陣孔。同現(xiàn)有技術相比，本實用新型通過將激光器在LED芯片中制作具有一定周期結構的空洞，對在LED芯片中的光進行反射，增加LED芯片的出光，提高LED芯片的性能。