一種具有抑制極化效應(yīng)壘層藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410590238.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105552186B 公開(kāi)（公告）日 2019-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN105552186B 申請(qǐng)公布日 2019-03-08
分類(lèi)號(hào) H01L33/12（2010.01）I; H01L33/14（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 田宇; 張曉龍; 俞登永; 鄭建欽; 曾欣堯; 童敬文; 吳東海; 李鵬飛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南通同方半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)東方大道499號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有抑制極化效應(yīng)壘層藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明從下至上依次包括襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、淺量子阱層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。所述淺量子阱層與有源區(qū)之間插入抑制極化效應(yīng)壘層，所述抑制極化效應(yīng)壘層從下至上包括AlxGa1?xN層和SiN層。本發(fā)明通過(guò)在現(xiàn)有外延結(jié)構(gòu)中插入一種新型壘層，釋放應(yīng)力、抑制極化、降低缺陷密度從而提高輻射復(fù)合幾率，降低極化效應(yīng)，以達(dá)到增強(qiáng)LED內(nèi)量子效率的目的。