一種采用復合電子阻擋層的深紫外LED外延結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610624642.8 申請日 -
公開（公告）號 CN107689406A 公開（公告）日 2018-02-13
申請公布號 CN107689406A 申請公布日 2018-02-13
分類號 H01L33/14;H01L33/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳真龍;田宇;鄭建欽;李鵬飛 申請（專利權）人 南通同方半導體有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種采用復合電子阻擋層的深紫外LED外延結構，屬于半導體光電子領域。本發(fā)明結構包括襯底層、成核層、AlN層、N型AlGaN層、AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源層、復合電子阻擋層、P型AlGaN層和P型GaN層。其結構特點是，所述復合電子阻擋層分為兩層，其與多量子阱有源層接觸一側為AlN阻擋層，其與P型AlGaN層接觸一側為高Al組分AlzGa1?zN阻擋層，y