一種改善AlN薄膜晶體質(zhì)量的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610044801.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105543969B 公開（公告）日 2018-05-01
申請公布號 CN105543969B 申請公布日 2018-05-01
分類號 C30B29/40;C30B25/18;C23C16/34;C23C16/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳真龍;曾頎堯;鄭建欽;田宇;李鵬飛 申請（專利權(quán)）人 南通同方半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種改善AlN薄膜晶體質(zhì)量的生長方法，涉及Ⅲ族氮化物的金屬有機物化學(xué)氣相沉積MOCVD生長技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用兩步法生長AlN薄膜，包括以下步驟：1）清潔烘烤襯底；2）氮化或預(yù)通三甲基鋁；3）低溫生長AlN緩沖層；4）升溫退火；5）高溫生長AlN薄膜；上述步驟3）和步驟5）中至少有一個步驟需通入三甲基鎵作為表面活性劑。同現(xiàn)有技術(shù)相比，用本發(fā)明方法制備的AlN薄膜，具有位錯密度小、表面平整度好的特點。