一種高復合效率的LED外延結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510258289.1 申請日 -
公開（公告）號 CN106299056B 公開（公告）日 2018-08-03
申請公布號 CN106299056B 申請公布日 2018-08-03
分類號 H01L33/06;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田宇;徐晶;鄭建欽;曹強;杜小青;吳梅梅;錢凱 申請（專利權）人 南通同方半導體有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高復合效率的LED外延結構，涉及發(fā)光二極管技術領域。本發(fā)明從下至上依次包括圖形化襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結構特點是，所述有源區(qū)從下至上包括阱層和復合壘層，復合壘層和阱層交替生長。所述復合壘層包括Si摻雜壘層和Si&Mg&Si摻雜壘層。本發(fā)明用在復合壘層中再摻雜Si&CP2Mg壘層，通過改變壘層Si&CP2Mg的摻雜濃度降低復合壘層的粗糙度并將復合壘層能級變得平滑，使得空穴傳送更加容易，從而提高輻射復合幾率，降低極化效應，增強LED出光效率。