一種在GaAs襯底上生長的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510445284.X 申請日 -
公開（公告）號 CN106711303A 公開（公告）日 2017-05-24
申請公布號 CN106711303A 申請公布日 2017-05-24
分類號 H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田宇;鄭建欽;吳真龍;曾頎堯;李鵬飛 申請（專利權(quán)）人 南通同方半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東方大道499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種在GaAs襯底上生長的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明結(jié)構(gòu)從下至上依次包括襯底、緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點是，所述襯底為GaAs襯底，所述緩沖層包括ZnO緩沖層和生長在ZnO緩沖層上的金屬氮化物緩沖層，所述U型GaN層從下至上依次包括U1型GaN層、布拉格反射層和U2型GaN層。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用GaAs襯底，具有品質(zhì)高、易解離且成本相對比較低的特點，而且易做垂直結(jié)構(gòu)、易于p型摻雜，可提高出光效率。