一種寬帶TC-SAW器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111434266.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114124020A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114124020A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H03H9/02（2006.01）I;H03H9/64（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 史向龍;陳曉陽;張俊茜;于倩至;蘇波 申請（專利權）人 北京航天微電科技有限公司
代理機構 北京輕創(chuàng)知識產權代理有限公司 代理人 馮瑛琪
地址 100854北京市海淀區(qū)永定路50號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于濾波器技術領域。具體的，本發(fā)明提供了一種寬帶TC?SAW器件，包括依次層疊的單晶壓電薄膜層、溫度補償層、高聲速薄膜層和襯底層。本發(fā)明還提供了上述寬帶TC?SAW器件的制備方法。上述器件具有機電耦合系數(shù)大、溫度系數(shù)小、Q值較高的優(yōu)點。