一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制造方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110691592.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113422292A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113422292A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 寇君龍;饒志龍;毛明明 申請（專利權(quán)）人 常州縱慧芯光半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 林凡燕
地址 213000江蘇省常州市武進國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制造方法與應(yīng)用，包括：襯底；第一反射層，設(shè)置在所述襯底上；有源層，設(shè)置在所述第一反射層上；第二反射層，設(shè)置在所述有源層上，所述第二反射層內(nèi)包括出光區(qū)和非出光區(qū)；第一凹槽陣列，設(shè)置在所述第二反射層內(nèi)，所述第一凹槽陣列位于所述非出光區(qū)內(nèi)，所述第一凹槽陣列位于所述出光區(qū)的至少一側(cè)；絕緣層，設(shè)置在所述第二反射層上，且填充所述第一凹槽陣列；第一電極，設(shè)置在所述絕緣層上，位于所述出光區(qū)上，連接所述第二反射層；第二電極，設(shè)置在所述襯底的底部。本發(fā)明提出的垂直腔面發(fā)射激光器可以提高調(diào)制帶寬。