一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列及其制造方法與應用
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010143277.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111313234A | 公開（公告）日 | 2020-06-19 |
| 申請公布號 | CN111313234A | 申請公布日 | 2020-06-19 |
| 分類號 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/18(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 丁維遵;劉嵩 | 申請（專利權(quán)）人 | 常州縱慧芯光半導體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海光華專利事務所（普通合伙） | 代理人 | 常州縱慧芯光半導體科技有限公司 |
| 地址 | 213000江蘇省常州市武進國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列及其制造方法與應用，包括，至少兩個發(fā)射器，每一所述發(fā)射器包括至少兩個發(fā)射單元，所述發(fā)射單元之間設(shè)置有第一導電連接層；至少兩個絕緣區(qū)，設(shè)置在所述至少兩個發(fā)射器之間；其中，所述至少兩個發(fā)射器通過串聯(lián)連接。本發(fā)明提出的垂直腔面發(fā)射激光器陣列可以提高發(fā)光面積。?? |
