一種激光器及其制造方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110685963.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113422291A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113422291A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/20（2006.01）I;H01S5/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張成;劉嵩;梁棟 申請（專利權(quán)）人 常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 林凡燕
地址 213000江蘇省常州市武進(jìn)國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種激光器及其制造方法與應(yīng)用，包括：襯底；至少兩個(gè)發(fā)光陣列，設(shè)置在所述襯底上，所述發(fā)光陣列包括至少兩個(gè)發(fā)光單元，至少兩個(gè)所述發(fā)光單元之間串聯(lián)連接；隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置所述襯底上，位于至少兩個(gè)所述發(fā)光陣列之間，所述隔離結(jié)構(gòu)用于電隔離至少兩個(gè)所述發(fā)光陣列；其中，所述發(fā)光陣列包括：第一反射層，設(shè)置在所述襯底上，所述第一反射層包括至少一層第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層與所述襯底接觸，所述第一半導(dǎo)體層的離子摻雜類型與所述襯底的離子摻雜類型相反，所述第一半導(dǎo)體層用于電隔離所述發(fā)光陣列和所述襯底。本發(fā)明可以提高激光器的質(zhì)量和可靠性。