一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010143670.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111313235B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN111313235B 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) H01S5/183;H01S5/042 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁棟;張成;翁瑋呈;丁維遵;劉嵩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王華英
地址 213000 江蘇省常州市武進(jìn)國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)鳳翔路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括，外延結(jié)構(gòu)，包括第一反射層，有源層及第二反射層；至少一個(gè)第一溝槽，形成在所述外延結(jié)構(gòu)上，并且貫穿所述外延結(jié)構(gòu)；多個(gè)第二溝槽，形成在所述多個(gè)第一溝槽之間，貫穿部分所述外延結(jié)構(gòu)，暴露出所述第一反射層，將所述外延結(jié)構(gòu)分成多個(gè)發(fā)光單元；至少兩個(gè)絕緣層，形成在所述多個(gè)第一溝槽及所述多個(gè)第二溝槽內(nèi)，且部分所述至少兩個(gè)絕緣層形成在所述多個(gè)發(fā)光單元之間；第一電極，形成在所述第一反射層的背面上；至少兩個(gè)第二電極，形成在所述多個(gè)第一溝槽及所述多個(gè)第二溝槽內(nèi)，每一所述發(fā)光單元內(nèi)的多個(gè)發(fā)光子單元通過(guò)所述第二電極連接。本發(fā)明提出的垂直腔面發(fā)射激光器應(yīng)用頻率快。