具有多個不同介電層的逐步擊穿存儲單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011180273.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112750948A 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN112750948A 申請公布日 2021-05-04
分類號 H01L45/00;H01L27/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙亮 申請（專利權(quán)）人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/a>
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹廷廷
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期J1棟A座14樓A-08室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有多個不同介電層的逐步擊穿存儲單元。在一些實施方式中，一種多電平一次性可編程存儲單元包括：頂電極；底電極；以及設(shè)于所述頂電極和底電極之間的多個介電層，其中，滿足至少以下一個條件：至少兩個介電層為不同的介電材料；該多電平一次性可編程存儲單元包括至少一個金屬層，其中，每一個金屬層均設(shè)置于兩個介電層之間。