RRAM寫入

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201780084177.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110226203A 公開（公告）日 2019-09-10
申請公布號 CN110226203A 申請公布日 2019-09-10
分類號 G11C13/00（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 布倫特·豪克內(nèi)斯; 呂志超 申請（專利權(quán)）人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/a>
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/td>
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期J1棟A座14樓A-08室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種用于對施加至阻變式隨機存取存儲器(RRAM)陣列的源極線或位線上的電流進行限制或者對施加至該源極線或位線上的電壓進行斜變的RRAM電路和相關(guān)方法。該RRAM陣列具有一條或多條源極線以及一條或多條位線。其中，控制電路在設(shè)置操作過程中將RRAM單元設(shè)置為低阻態(tài)，以及在重置操作過程中將該RRAM單元重置為高阻態(tài)。施加至位線或源極線上的電壓在第一時間間隔內(nèi)斜變，在第二時間間隔內(nèi)保持于最大電壓值，在該第二時間間隔后停止施加。