減少掩模操作次數(shù)的RRAM工藝整合方案及單元結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201780080601.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110140172A 公開（公告）日 2019-08-16
申請公布號 CN110140172A 申請公布日 2019-08-16
分類號 G11C11/56;G11C7/12;G11C13/00;H01L27/24;H01L27/02;H01L45/00 分類 信息存儲;
發(fā)明人 呂志超;布倫特·史蒂文·豪克內(nèi)斯 申請（專利權(quán)）人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/td>
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期J1棟A座14樓A-08室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開一種阻變隨機(jī)存取存儲器(RRAM)。該RRAM包括由鎢構(gòu)成的底電極以及設(shè)于該底電極上方的由氧化鉿構(gòu)成的轉(zhuǎn)變層，其中，該轉(zhuǎn)變層包括可轉(zhuǎn)變細(xì)絲。所述RRAM還包括設(shè)于所述轉(zhuǎn)變層上方的電阻層以及設(shè)于該電阻層上方的位線，其中，該電阻層橫向延伸，從而沿所述位線連接兩個或更多個存儲單元。