非易失性存儲(chǔ)單元、非易失性存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202080012917.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113424318A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113424318A 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類(lèi)號(hào) H01L27/115（2017.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏志強(qiáng);呂志超 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 合肥睿科微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 230088安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期F4棟11樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種非易失性存儲(chǔ)單元，包括：底電極；含導(dǎo)電材料的頂電極；設(shè)于所述底電極和所述頂電極之間的電阻層；以及覆蓋所述頂電極和所述電阻層側(cè)面的側(cè)面部分。該側(cè)面部分含所述導(dǎo)電材料的氧化物。所述非易失性存儲(chǔ)單元還包括設(shè)于所述頂電極上的接觸導(dǎo)線。所述接觸導(dǎo)線的寬度小于所述側(cè)面部分的外側(cè)面間寬度。