功率半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111500478.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114141879A 公開（公告）日 2022-03-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN114141879A 申請(qǐng)公布日 2022-03-04
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周源;王超;胡磊;邢岳;楊欞鑫;王振達(dá);羅胡瑞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京燕東微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科慧致遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王乾旭;趙紅凱
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海四路51號(hào)院1號(hào)樓5層516
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法。該功率半導(dǎo)體器件包括：依次層疊設(shè)置的第一電極層、半導(dǎo)體基板以及第一層間介質(zhì)層，半導(dǎo)體基板中設(shè)有體區(qū)，體區(qū)中設(shè)有摻雜區(qū)；第一溝槽、第二溝槽以及第三溝槽，第一溝槽以及第三溝槽內(nèi)分別設(shè)置有柵極介質(zhì)層；第一金屬插塞、第二金屬插塞、第三金屬插塞，第一金屬插塞位于第一溝槽中，第二金屬插塞位于第二溝槽中，第三金屬插塞位于第三溝槽中；位于第一層間介質(zhì)層上的第二層間介質(zhì)層；間隔設(shè)置在第二層間介質(zhì)層上的第二電極層以及柵極。該功率半導(dǎo)體器件中的溝槽利用金屬填充，耐壓穩(wěn)定、電荷低、響應(yīng)速度快，電阻低，交變信號(hào)時(shí)反應(yīng)更快，可以有效降低開關(guān)時(shí)間。