晶圓的測(cè)試結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122645820.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216084883U 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN216084883U 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L23/544（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉恩峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京燕東微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;張靖琳
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海四路51號(hào)院1號(hào)樓5層516
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利申請(qǐng)公開一種晶圓的測(cè)試結(jié)構(gòu)，該測(cè)試結(jié)構(gòu)中的每個(gè)測(cè)試單元包括：相鄰且分隔的多個(gè)第一摻雜區(qū)與多個(gè)第二摻雜區(qū)；以及多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，沿第一方向，多個(gè)第一摻雜區(qū)與多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)間隔排布，第二摻雜區(qū)與第一摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)分布在多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間，第一方向垂直于晶圓的厚度方向，多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極和多個(gè)第一偽柵極，沿第一方向，位于第一柵極兩側(cè)的第一摻雜區(qū)分別為第一源區(qū)和第一漏區(qū)，兩側(cè)的第二摻雜區(qū)分別為第二源區(qū)和第二漏區(qū)，第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)、第二漏區(qū)以及第一柵極分別連接至對(duì)應(yīng)的測(cè)試電極，并且多個(gè)第一偽柵極與測(cè)試電極電隔離。通過形成多個(gè)偽柵極結(jié)構(gòu)，從而模擬半導(dǎo)體器件中的多個(gè)柵極，提高了測(cè)試的準(zhǔn)確率。