半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122471099.1 申請日 -
公開（公告）號 CN215988775U 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN215988775U 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐曉琦;劉偉;王羽;高杰;孫夢;金明;王志勇 申請（專利權(quán)）人 北京燕東微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;楊思雨
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海四路51號院1號樓5層516
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體層，具有相對的第一表面與第二表面，半導(dǎo)體層包括第一摻雜區(qū)、第一阱區(qū)、第二阱區(qū)、第一源區(qū)以及第一漏區(qū)，第一阱區(qū)與第二阱區(qū)分別位于第一摻雜區(qū)的相對兩側(cè)，第一源區(qū)位于第一阱區(qū)中并暴露于第一表面，第一漏區(qū)位于第二阱區(qū)中并暴露于第二表面；呈柱狀的柵極結(jié)構(gòu)，沿第一表面至第二表面的方向依次貫穿第一阱區(qū)、第一摻雜區(qū)、第二阱區(qū)，柵極結(jié)構(gòu)分別與第一源區(qū)、第一漏區(qū)鄰接，第一阱區(qū)和第二阱區(qū)的摻雜類型為第一摻雜類型，第一摻雜區(qū)、第一源區(qū)、第一漏區(qū)的摻雜類型為第二摻雜類型，第一摻雜類型與第二摻雜類型相反。該半導(dǎo)體器件在具有低電容和低柵溝道導(dǎo)通電阻的同時還能提高導(dǎo)通速度并降低開關(guān)損耗。