氧化釩薄膜的刻蝕方法與半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111439662.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114171641A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114171641A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 淮永進(jìn);張彥秀;梁維佳;王乾 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京燕東微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;張靖琳
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)經(jīng)海四路51號(hào)院1號(hào)樓5層516
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)提供了一種氧化釩薄膜的刻蝕方法與半導(dǎo)體器件的制造方法。該氧化釩薄膜的刻蝕方法包括：形成覆蓋氧化釩薄膜的部分表面的掩模；以及采用感應(yīng)耦合等離子刻蝕工藝去除暴露的氧化釩薄膜，其中，感應(yīng)耦合等離子刻蝕工藝的工藝氣體包括刻蝕氣體和輔助氣體，刻蝕氣體包括NF3，輔助氣體包括O2和Ar，輔助氣體與氧化釩薄膜作用產(chǎn)生保護(hù)層覆蓋氧化釩薄膜的側(cè)壁。該刻蝕方法能夠解決鉆蝕以及懸垂的問(wèn)題，避免刻蝕后腐蝕現(xiàn)象的發(fā)生，保證刻蝕后氧化釩薄膜的側(cè)壁具有較高質(zhì)量，使半導(dǎo)體器件具有較高的可靠性。