分裂柵型MOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122384470.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN215815885U 公開(kāi)（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN215815885U 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐曉琦;王羽;高杰;孫夢(mèng);徐鴻卓;辛俊瑩;常東旭 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京燕東微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;張靖琳
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)經(jīng)海四路51號(hào)院1號(hào)樓5層516
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種分裂柵型MOSFET器件，包括襯底；位于襯底表面的緩沖區(qū)；位于部分緩沖區(qū)表面的阱區(qū)；位于阱區(qū)內(nèi)的第一摻雜區(qū)；位于第一摻雜區(qū)表面的源極區(qū)和漏極區(qū)；貫穿第一摻雜區(qū)和阱區(qū)并延伸至緩沖區(qū)中的分裂柵結(jié)構(gòu)，分裂柵結(jié)構(gòu)將源極區(qū)和漏極區(qū)隔開(kāi)，分裂柵結(jié)構(gòu)包括：外圍的介質(zhì)層，被介質(zhì)層包圍的第一柵極區(qū)、導(dǎo)體區(qū)和第二柵極區(qū)；位于介質(zhì)層表面的絕緣區(qū)，介質(zhì)層與絕緣區(qū)接觸的表面平坦化。本申請(qǐng)采用槽型分裂柵結(jié)構(gòu)，降低MOSFET器件中的柵漏電容，且槽型分裂柵結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層與絕緣區(qū)接觸的表面平坦化，使得兩個(gè)柵極區(qū)與溝道之間形成較均勻的電場(chǎng)，進(jìn)而提升了MOSFET器件的柵極電學(xué)性能以及溝道的電學(xué)性能。