功率MOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111499851.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114141878A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114141878A 申請公布日 2022-03-04
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周源;胡磊;王超;楊欞鑫;邢岳;王振達(dá);羅胡瑞 申請（專利權(quán)）人 北京燕東微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科慧致遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王乾旭;趙紅凱
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海四路51號院1號樓5層516
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種功率MOSFET器件及其制備方法。該功率MOSFET器件包括：半導(dǎo)體基板；自半導(dǎo)體基板表面延伸至半導(dǎo)體基板中的體區(qū)，以及形成于體區(qū)內(nèi)的摻雜區(qū)；體區(qū)包括作為元胞區(qū)的第一區(qū)域，以及位于第一區(qū)域周圍的第二區(qū)域；穿過第一區(qū)域的第一溝槽和第二溝槽，穿過第二區(qū)域的第三溝槽，第二溝槽的深度小于第一溝槽的深度，第一溝槽的內(nèi)壁和第二溝槽的內(nèi)壁均設(shè)置有柵極介質(zhì)層；位于第一溝槽內(nèi)的第一金屬插塞，位于第二溝槽內(nèi)的第二金屬插塞，以及位于第三溝槽內(nèi)的第三金屬插塞，第二金屬插塞與第二溝槽的底部形成有肖特基結(jié)。該功率MOSFET器件可降低正向?qū)妷?，提高器件的頻率特性。