一種薄膜式熱釋電紅外傳感器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910107269.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101881666A 公開（公告）日 2010-11-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN101881666A 申請(qǐng)公布日 2010-11-10
分類號(hào) G01J5/12(2006.01)I;G01J5/16(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 王宏臣;楊鐵鋒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 世紀(jì)晶源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518107 廣東省深圳市光明新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地世紀(jì)晶源
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及紅外傳感器領(lǐng)域，提供一種薄膜式熱釋電紅外傳感器及其制備方法，該傳感器包括相互疊置在一起的上電極薄膜、下電極薄膜及熱釋電薄膜，其中：所述的傳感器為2n元結(jié)構(gòu)，其中，n為自然數(shù)；該2n元結(jié)構(gòu)包括在所述的下電極薄膜的底部設(shè)置硅襯底，所述的上電極薄膜上表面設(shè)置鈍化層和紅外吸收層，所述的下電極與硅襯底之間設(shè)置有絕熱層，該絕熱層上設(shè)置有支撐層；本發(fā)明采用薄膜式多元結(jié)構(gòu)，相對(duì)于單元熱釋電紅外傳感器，可以提高器件對(duì)冷熱氣流和溫度變化等環(huán)境干擾的適應(yīng)性；本發(fā)明提供的傳感器熱導(dǎo)較低，可靠性高，響應(yīng)速度快；本發(fā)明提供的薄膜式熱釋電紅外傳感器可以采用標(biāo)準(zhǔn)微加工工藝制作，加工工藝成熟，量產(chǎn)成本較低，工藝較簡(jiǎn)單。