一種改善電流擴展效率的發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810218304.X 申請日 -
公開（公告）號 CN101752478A 公開（公告）日 2010-06-23
申請公布號 CN101752478A 申請公布日 2010-06-23
分類號 H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡加輝;沈志強;廖家明;楊仁君;朱國雄;江明璋;吳煊良 申請（專利權(quán)）人 世紀晶源科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 518107 廣東省深圳市光明新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地(世紀晶源)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種改善發(fā)光二極管電流擴展效率的發(fā)光二極管及其制備方法，該發(fā)光二極管包括襯底、N型電流擴展層、多量子阱有源發(fā)光區(qū)、P型電流擴展層、透明導(dǎo)電層、P電極及N電極，其中，所述的P型電流擴展層內(nèi)形成有一電流阻擋區(qū)，該電流阻擋區(qū)內(nèi)設(shè)置有電流阻擋層；所述的方法是通過離子植入或二次外延的方式在P型電流擴展層內(nèi)形成電流阻擋層，本發(fā)明所述的電流阻擋層，它能使P型電極注入的電流橫向擴展到電極下方以外的有源發(fā)光區(qū)，使P電極下方無電流，不發(fā)光，增加了發(fā)光效率，減少了焦耳熱的產(chǎn)生，提高了器件的熱性能、壽命及可靠性。